利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法

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利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法
申请号:CN202510288082
申请日期:2025-03-12
公开号:CN119786400B
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法,属于半导体技术领域,该方法分三次向半导体芯片接入高频交流电,三次接入的高频交流电的电流方向相互垂直,用高频交流电的电子依次从三个方向来回撞击半导体芯片内部的原子,使得半导体芯片内部的原子从三个方向依次向能量更低的位置规则排布,进而修复半导体芯片内部的在三个电流方向上的缺陷。该方法对于半导体芯片内部的缺陷具有针对性,使得修复的效果更加有效;可以针对局部缺陷进行修复,通过对局部缺陷施加电场,能够保证其余部分不受到影响的同时,完成对局部缺陷的修复工作。
技术关键词
缺陷修复方法 交流电 清洗半导体芯片 电子 风力 电流 表面氧化 三角波 信号 电场 脉冲
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