一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法

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正文
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一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法
申请号:CN202510289553
申请日期:2025-03-12
公开号:CN119780195B
公开日期:2025-06-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种宽域型氧传感器芯片及制备方法,芯片基体层由第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层组成;第一介质层上设有泵氧外电极;第一介质层和第二介质层之间设有泵氧内电极;第二介质层和第三介质层之间设有参考电极,第三介质层和第四介质层之间设有加热器;其中参考电极的电极部与泵氧内电极在第三介质层的投影方向上至少部分重合且参考电极的电极部设有离子阻挡层。本发明通过设置参考电极的位置,并在参考电极上设置离子阻挡层来减小泵氧内电极的上、下电极到参考电极的离子扩散路径差异,使得芯片不仅能达到目标内阻,测试精度高,而且在动态气氛中λ=1.0附近测试数据准确,没有杂波信号影响。
技术关键词
离子阻挡层 介质 气体扩散通道 多孔氧化铝 加热器 进气口 电极引线 多孔保护层 生坯 氧化锆粉体 氧化钇稳定 腔室 基体 传感器芯片 待测气体 塑化剂
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