键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备

本申请属于半导体技术领域，具体公开了一种键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备，该方法包括：提供第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件具有第一待键合表面，所述第二半导体器件具有第二待键合表面；使第一待键合表面和第二待键合表面中的至少之一与含有臭氧和不饱和烃气体的混合物接触，然后使所述第一待键合表面和所述第二待键合表面接触键合。由此，可以提高半导体器件的键合强度和电性连通效果。