一种垂直结构微LED外延片及其制备方法和应用

本发明公开了一种垂直结构微LED外延片及其制备方法和应用，所述微LED外延片由下至上依次包括第一衬底、极性反转层、外延结构；其中，所述外延结构的最下端的极性与所述极性反转层相反；所述极性反转层的材质为铝的氮氧化物。本发明通过衬底上的极性反转层能够生长出质量更好的外延结构，同时极性反转层被用作后续芯片剥离的牺牲层，降低了芯片剥离的经济成本，提高了剥离效率。