基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法

本申请涉及纳米电子器件技术领域，特别是涉及一种基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法。该方法包括：创建一定比例和幅度的正负脉冲序列，随机从脉冲序列中取出脉冲电压，从泊松分布中取出随机的时间间隔，按照脉冲的数量生成相应的随机脉冲序列。相比单次脉冲设置电导的方式，在随机脉冲设置电导的过程中因为正负脉冲的同时作用，能增加消除不完整通道的几率，从而在设置电导的过程中降低器件的噪声。该方法简化了降噪过程，提高了器件的稳定性和计算精度，适用于包括神经形态计算在内的多种应用场景。