晶圆级红外焦平面芯片及其制作方法

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推荐专利
晶圆级红外焦平面芯片及其制作方法
申请号:CN202510297119
申请日期:2025-03-13
公开号:CN120187124A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种晶圆级红外焦平面芯片及其制作方法,应用于半导体技术领域,该方法包括:对探测器晶圆与读出电路晶圆进行低温键合,形成第一异质集成晶圆,读出电路晶圆第一表面形成有第一电极触点和第二电极触点;在探测器晶圆的表面形成阵列设置的第一通孔和第二通孔;对探测器晶圆表面的第一区域和第二区域进行刻蚀,形成像元台面阵列以及公共下电极区域;分别在像元台面阵列上形成第一电极,在公共下电极区域上形成第二电极,得到目标异质集成晶圆;第一电极和第二电极用于使探测器晶圆中的不同层分别与第一电极接触点和第二电极接触点形成电接触;对目标异质集成晶圆进行划片,获得红外焦平面芯片。
技术关键词
红外焦平面芯片 电极触点 探测器 读出电路 晶圆 接触点 台面 接触层 异质 阵列 外延 通孔侧壁 掩膜 介质 衬底 刻蚀深度 势垒层 抛光
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