一种高密度QFN封装引线框架及其制造方法

本发明提供了一种高密度QFN封装引线框架及其制造方法，涉及QFN封装技术领域，包括框架基体，框架基体的中央位置设置有方形基岛，方形基岛的四个角均连接有连接脚，方形基岛通过连接脚与框架基体相连接，连接脚上设置有半蚀刻方框一，基岛中央设置有芯片，芯片周侧设置有半蚀刻凹槽，基岛上设置有若干半蚀刻方框二。本发明通过设置若干半蚀刻方框一和若干半蚀刻方框二，在塑封时，可以有效增加塑封料与框架基体的接触面积，塑封料与框架基体的连接更加稳定，而设置半蚀刻凹槽，当芯片粘接到方形基岛上时，可以有效对可能溢出的胶液进行收集，而如果没有溢胶，半蚀刻凹槽又能够起到连接更稳定的效果。