高出光效率LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高出光效率LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。制备方法包括：提供外延片；其包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；在外延片上形成透明导电层；刻蚀形成暴露第一半导体层的裸露区域；形成第一电极和第二电极；其中，第一电极形成在裸露区域的第一半导体层上，第二电极形成在第二半导体层上；以硅和铜为靶材，溅射形成第一复合膜；将第一复合膜在含氧气氛中、550~700℃下退火，得到第二复合膜；在第二复合膜上形成氧化硅膜；在第一电极、第二电极所在区域的第二复合膜和氧化硅膜上开孔，以至少部分暴露第一电极、第二电极。实施本发明，可提升LED芯片的光提取效率和可靠性。