微电极芯片电解池设计制造方法及其应用

AITNT
正文
推荐专利
微电极芯片电解池设计制造方法及其应用
申请号:CN202510302069
申请日期:2025-03-14
公开号:CN120161097A
公开日期:2025-06-17
类型:发明专利
摘要
本申请公开一种微电极芯片电解池的设计、制造及应用,涉及电化学原位可视化领域,微电极芯片电解池包括印刷电路板和微电极芯片,印刷电路板包括相对的第一表面和第二表面以及贯穿第一表面和第二表面的窗口,微电极芯片固定于第二表面上,且微电极芯片将窗口密封。微电极芯片包括靠近印刷电路板的第三表面,以及设置于第三表面上的至少一个电极组,每个电极组包括至少一对阳极和阴极。本发明提供的微电极芯片电解池可与光学显微镜技术联合使用,应用于电化学微界面的气、固、液三相物质迁移转化过程的高分辨率、原位实时成像,空间分辨率达到纳米级,时间分辨率达到毫秒级,能够实现对电极‑溶液界面扩散层(1μm‑100μm)反应过程的动态观测。
技术关键词
电解池 电触点 芯片 电极组 电路板 参比电极 光刻胶层 阴极 阳极 光学显微镜技术 载物台 可视化平台 三相物质 原位 分辨率 界面 扩散层
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号