提升光取出能力的芯片制备方法

本发明涉及芯片制备技术领域，具体涉及提升光取出能力的芯片制备方法，在衬底上依次制备外延层、N‑GaN台阶、ITO透明导电层及电极层，还制备PV保护层，所述PV保护层，所述PV保护层包括依次设置的SiO2、SiOF和Na2SiF6，SiO2、SiOF和Na2SiF6的折射率呈递减趋势。本发明利用不同折射率材料在接触的界面会出现反射的现象，通过引入漫反射，让光更多的透射出来从而提高LED的光萃取效率。