一种多级熔点焊接层转移LED芯片结构及其制备方法

本发明公开了一种多级熔点焊接层转移LED芯片结构及其制备方法；包括基板上有序设置有若干数量的焊盘，焊盘的表面分别附着有低熔点焊料层和高熔点焊料层；低熔点焊料层用于完成LED芯片的转移，高熔点焊料层用于完成LED芯片与焊盘的焊接固定。通过基板上设置特定具有多级熔点焊料层的焊盘，所述焊盘与待转移LED芯片对应，利用不同焊料高低熔点的特性，通过加热平台两次加热实现LED芯片选择性转移和焊接；对成功转移的LED芯片后续进行沉积钝化层、刻蚀、蒸镀第一金属电极和第二金属电极，最后进行芯片分割。相比传统的转移方法，具有LED芯片利用率高，转移温度低，损伤小，装置结构简单，操作方便等优点。