一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法

本申请公开了一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法，所述结构包括：第二外延层；条形P柱，条形P柱的长度方向平行于沟道效应最明显的晶向在外延材料表面的投影方向；沟槽栅，包括沟槽，沟槽平行于条形P柱的长度方向或者垂直于条形P柱的长度方向，并向沟槽中填入填充物从而制造出沟槽栅，当沟槽的长度方向平行于条形P柱的长度方向时，沟槽位于条形P柱的正上方，且宽度与条形P柱的宽度一致，当沟槽的长度方向垂直于条形P柱的长度方向时，沟槽的宽度与条形P柱不相关；表面源极区域。本申请的优点在于，可以减少制造步骤，简化加工工艺。