摘要
本发明公开了一种适用于高压半桥驱动芯片的电平位移电路,该电平位移电路在浮动电源电平位移电路产生的受逻辑地影响的信号的基础上,增加了一路浮动地电平位移电路产生的随浮动地变化的信号,共同控制后续高压电路,两路信号通过或门转换成一路随浮动电平变化的信号,这种设计提供了两条独立的隔离路径,加强了逻辑地与浮动地的隔离效果,减小了高低压地之间的串扰。当浮动地发生负压时,单独的浮动电源电平位移电路产生的信号可能会误开启后续电路,而浮动地电平位移电路产生的信号是跟随浮动地变化的,因此不会影响其控制后续电路,增强了电平位移电路的负压抗扰度。此外本发明还通过增加高压延时控制开关通路,使得本发明拥有更好的抗dV/dt能力。
技术关键词
LDNMOS管
电平位移电路
高压半桥驱动芯片
齐纳二极管
浮动电源
PMOS管
电阻
信号
栅极
阳极
衬底
阴极
延时控制开关
高压电路
输入端
电容
定义