一种适用于高压半桥驱动芯片的电平位移电路

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一种适用于高压半桥驱动芯片的电平位移电路
申请号:CN202510305524
申请日期:2025-03-14
公开号:CN120263167A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种适用于高压半桥驱动芯片的电平位移电路,该电平位移电路在浮动电源电平位移电路产生的受逻辑地影响的信号的基础上,增加了一路浮动地电平位移电路产生的随浮动地变化的信号,共同控制后续高压电路,两路信号通过或门转换成一路随浮动电平变化的信号,这种设计提供了两条独立的隔离路径,加强了逻辑地与浮动地的隔离效果,减小了高低压地之间的串扰。当浮动地发生负压时,单独的浮动电源电平位移电路产生的信号可能会误开启后续电路,而浮动地电平位移电路产生的信号是跟随浮动地变化的,因此不会影响其控制后续电路,增强了电平位移电路的负压抗扰度。此外本发明还通过增加高压延时控制开关通路,使得本发明拥有更好的抗dV/dt能力。
技术关键词
LDNMOS管 电平位移电路 高压半桥驱动芯片 齐纳二极管 浮动电源 PMOS管 电阻 信号 栅极 阳极 衬底 阴极 延时控制开关 高压电路 输入端 电容 定义
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