一种具有静电保护结构的MOS管芯片

本发明公开了一种具有静电保护结构的MOS管芯片，第一扩散区和第二扩散区形成PN超结提高反向击穿电压，第三注入区、第三外延层和第二外延层形成寄生NPN，第一注入区增大第三外延层的空穴导出路径，减小流入MOS管芯片的空穴数量，第一注入区使寄生NPN导通电阻减小和被开启难度增加，减少器件内出现大电流的可能性，增强了MOS管芯片的抗单粒子烧毁和静电保护能力。贯穿第三注入区延伸至部分第一扩散区和第二扩散区的沟槽、第四注入区作为屏蔽层、第一扩散区、第二扩散区和第四注入区共同耗尽使得电场分布更均匀，导通状态时超结的电荷补偿使得导通电阻下降，超结的电容特性和屏蔽层对栅漏电容的屏蔽作用，使得开关特性显著提高。