摘要
本发明公开了一种半导体芯片的解理方法,解理方法包括以下步骤:提供一半导体芯片晶圆,半导体芯片晶圆包括多个芯片单元,相邻芯片单元之间形成有划线区;将半导体芯片晶圆的背面粘附在粘膜上,在半导体芯片晶圆正面划线区内进行划线以形成解理槽;对半导体芯片晶圆的背面进行劈砸,劈砸的位置与解理槽相对设置;对粘膜进行扩膜并保持粘膜的扩张状态,获取解理后的芯片。本发明通过在半导体芯片晶圆背面进行劈砸以将半导体芯片晶圆解理成多个芯片,解决了芯片崩角、背面金属层损伤等问题。
技术关键词
半导体芯片
解理方法
粘膜
背面金属层
正面
晶圆背面
劈刀
背面电极
薄膜
受力