半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质

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半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202510307915
申请日期:2025-03-17
公开号:CN119831995B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:通过LED检测光源阵列发出的检测光束,经过空间滤波处理后,以预设角度照射待测晶片表面。将反射光分为直接光路和滤波光路,直接光路经第二探测器获得原始图像,滤波光路经4f光学系统进行空间频率滤波后由第三探测器获得低通滤波图像。通过对原始图像和低通滤波图像的差分运算得到高通滤波图像,并对其进行自适应阈值分割和形态学优化处理以提取图像特征数据。最后,将图像特征数据输入缺陷检测模型,确定晶片表面的缺陷检测结果。本发明通过空间滤波有效降低了背景噪声的干扰,增强了缺陷边缘特征的对比度,提高了微小缺陷的检测精度和分类准确性。
技术关键词
半导体晶片表面 待测晶片 图像特征数据 缺陷检测方法 滤波 光束 缺陷检测设备 光学系统 缺陷检测装置 探测器 LED检测光源 准直透镜 多级阈值分割 光强 反射镜 主成分分析算法 拓扑结构信息 光阑
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