高性能半导体扇出封装

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正文
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高性能半导体扇出封装
申请号:CN202510308202
申请日期:2025-03-17
公开号:CN120674402A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本公开涉及高性能半导体扇出封装。本文中描述的实施方案涉及各种半导体装置组合件。在一些实施方案中,一种设备包含:多个第一半导体裸片;及第一模制层,其包围所述多个第一半导体裸片。多个模通孔TMV可延伸穿过所述第一模制层,且所述多个TMV可填充有导电填料。所述设备可包含:重布层,其在所述第一模制层上;多个第二半导体裸片,其电连接到所述重布层;及第二模制层,其包围所述多个第二半导体裸片。所述重布层可在所述第一模制层与所述第二模制层之间。所述设备可包含多个互连件,其附接到所述重布层,其中所述多个互连件内埋于所述多个TMV中的相应TMV的所述导电填料中。
技术关键词
半导体裸片 半导体装置组合件 模制 导电填料 半导体封装 高性能半导体 焊球 存储器裸片 导电柱 载体 芯片 通孔
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