DDR5多颗颗粒独立端口PDN阻抗仿真优化方法及装置

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DDR5多颗颗粒独立端口PDN阻抗仿真优化方法及装置
申请号:CN202510308833
申请日期:2025-03-17
公开号:CN120257921A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及电子电路设计领域,具体提供了DDR5多颗颗粒独立端口PDN阻抗仿真优化方法及装置,对于选定需要仿真的DDR5的电源网络,为每个Sink端的所述电源网络建立独立端口,并进行仿真,产生独立的PDN阻抗曲线,最后分别与规定的目标阻抗曲线进行对比,并进行单独优化,确保每颗颗粒的PDN阻抗都在目标范围内,从而提高电源完整性和信号完整性。与现有技术相比,本发明能够通过独立端口仿真优化,提高电源完整性和信号完整性,确保系统的高性能和稳定性。
技术关键词
仿真优化方法 端口 机器可读程序 电源 电子电路设计 网络 曲线 高频段 叠层设计 去耦电容 仿真工具 优化装置 仿真模型 低频段 参数 存储器 软件 处理器 界面 坐标系
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