一种工作在0.2-2GHz的超宽带硅基移相器芯片

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一种工作在0.2-2GHz的超宽带硅基移相器芯片
申请号:CN202510310249
申请日期:2025-03-17
公开号:CN120238099A
公开日期:2025-07-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种工作在0.2‑2GHz的超宽带硅基移相器芯片,应用于射频微波集成电路技术领域,本发明的芯片的架构由全差分放大器、正交信号发生器、矢量合成网络、数模转换控制电路组成。该芯片在0.2‑2GHz的工作频段内可以实现移相精度为5.625°,移相范围为360°,相位RMS误差小于2.7°,幅度RMS误差小于0.6dB,输入输出回波损耗均小于12dB,增益大于‑0.5dB,芯片面积为0.88mm2。
技术关键词
全差分放大器 数模转换控制电路 栅极 电流放大器 移相器 电阻 信号发生器 射频微波集成电路技术 芯片 电压 多相滤波器 电流镜结构 模拟乘法器 网络 电容 误差 回波
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