嵌入式Flash的读写方法、嵌入式Flash及电子设备

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嵌入式Flash的读写方法、嵌入式Flash及电子设备
申请号:CN202510318148
申请日期:2025-03-18
公开号:CN120104064A
公开日期:2025-06-06
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种嵌入式Flash的读写方法、嵌入式Flash及电子设备,属于半导体技术领域,嵌入式Flash包括多个拼接的IP模块;读通道具有独立的地址信号线与片选信号;写通道具有所有IP模块所需的控制信号,并复用读使能信号;将Flash存储区划分为两个Bank,一个Bank用于当前读取的知识产权模块的数据存储,另一个Bank用于其他所有知识产权模块的数据存储,实现在通过Flash控制器访问嵌入式Flash时,在对一个IP模块进行写操作时,可以同时读取其他任一个IP模块。本发明在Flash控制器内部实现边读边写功能,可以应用于多种应用场景,高芯片存储区的访问效率。
技术关键词
读写方法 Flash控制器 模块 数据存储 通道 信号线 电子设备 逻辑 内存 处理器 场景 芯片
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