一种智能电表MOSFET器件的寿命预测方法、装置、终端设备及存储介质

本发明公开了一种智能电表MOSFET器件的寿命预测方法、装置、终端设备及存储介质，上述方法包括：首先获取待测MOSFET器件在预设时段内的加速老化数据；随后将加速老化数据输入至预设寿命预测模型内，对加速老化数据进行卷积和池化，提取局部特征；根据局部特征，在向前传播以及向后传播的过程中，捕捉不同时刻下加速老化数据中各参数之间的长期依赖关系，并生成对应的上下文特征；将上下文特征进行拼接后进行映射，得到待测MOSFET器件的剩余寿命。通过实施本发明，可以通过捕捉器件在长时间的高频开关过程中，相关参数的动态变化特征，实现对智能电表MOSFET的剩余寿命进行高精度预测的需求。