一种高温欧姆GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法

本发明公开了一种高温欧姆GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，属于高温欧姆接触制备技术领域，该方法首先对衬底进行预处理，并依次生长GaN漂移区、沟道层、AlN插入层、AlXGa(1‑X)N势垒层和SiN介质帽层，形成GaN HEMT垂直结构外延片。随后，通过光刻和蒸镀工艺制备标记，光刻出源极窗口区域并形成欧姆接触，离子注入形成芯片隔离区域，光刻出栅极电极。接着，生长钝化层并刻蚀出场板，对外延片进行深刻蚀开孔，光刻出漏极电极并生长底部钝化层。最后，光刻出栅极电极与源极电极引出区域，得到高温欧姆GaN HEMT垂直结构芯片。本发明制备的芯片具有优异的电学性能和高温可靠性，适用于高频、高功率等应用场景，为GaN基功率器件的发展和应用提供了新的技术途径。