一种先介质GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法

本发明公开了一种先介质GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，属于先介质层制备技术领域，方法包括：清洗并干燥GaN HEMT垂直结构外延片，钝化SiN阻挡层，定位标记后；光刻刻蚀形成源极窗口和电极接触区域，蒸镀形成源极电极；光刻离子注入形成芯片隔离区域；刻蚀表面SiN后，光刻出栅极电极接触区域并蒸镀形成栅极电极；生长钝化层，刻蚀源极和栅极的导电通道，蒸镀得到场板；深刻蚀开孔后，在底部光刻出漏极电极接触区域并蒸镀形成漏极电极；在底部和顶部分别生长钝化层，光刻出电极引出区域，得到先介质GaN HEMT垂直结构芯片。显著提高了器件的绝缘性能，降低了漏电流，提升了器件的导电性能、击穿电压和可靠性，在高频、高功率电子器件领域的应用奠定了基础。