一种低温欧姆GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法

本发明公开了一种低温欧姆GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，属于低温欧姆接触制备技术领域，首先在预处理衬底上生长多层外延结构GaN漂移区、AlN插入层、AlGaN势垒层和SiN介质帽层，然后通过清洗、标记、光刻、离子注入和刻蚀工艺形成隔离区域和电极接触窗口。接着，通过蒸镀金属形成源极和栅极电极，并生长钝化层以保护器件。随后，进行深刻蚀开孔并在底部形成漏极电极，最后通过光刻和蒸镀工艺完成电极引出区域，最终得到低温欧姆GaN HEMT垂直结构芯片。在低温条件下实现金属与半导体之间理想的欧姆接触，降低了接触电阻，最终得到的芯片具有优化的电极接触和隔离区域，适用于高频、高功率应用，展现了优异的电学性能和热稳定性。