一种先栅GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法

本发明公开了一种先栅GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，属于先栅极制备技术领域，方法包括：在预处理衬底上依次生长GaN漂移区、AlN插入层、AlXGa(1‑X)N势垒层和SiN介质帽层，形成外延片；通过光刻、蒸镀和刻蚀等工艺步骤，依次形成栅极电极、源极电极；生长钝化层后刻蚀出导电通道，得到场板；再进行深刻蚀开孔和离子注入形成芯片隔离区域；最后在底部形成漏极电极，并生长钝化层，光刻出电极引出区域。本发明通过优化栅极材料选择与处理，降低了栅极电阻；精确的栅极形状设计与制造改善了电场分布；与后续工艺步骤的紧密集成确保了芯片的高性能和稳定性，实现了更高的开关速度和更好的器件性能，有效解决了先栅GaN HEMT垂直结构芯片制备中的关键技术问题。