一种双曲函数忆阻器等效电路模型

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一种双曲函数忆阻器等效电路模型
申请号:CN202510322057
申请日期:2025-03-19
公开号:CN119849403A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种双曲函数忆阻器等效电路模型,包括积分运算模块U1,用于实现输入电压的积分运算,产生磁通量;乘法器U2,用于对磁通量进行倍数运算,产生需要的二阶信号;反相放大模块U3,用于对磁通量进行反相放大以及双曲函数运算,产生需要的双曲正弦信号;反相加法运算模块U4,用于将二阶信号与双曲正弦信号进行加法运算及反相放大运算,得到需要的双曲函数信号;乘法器U5,用于将输入电压及反相加法运算模块U4输出的双曲函数信号相乘,得到忆阻器电流量。如此,基于双曲正弦函数数学模型搭建的忆阻器等效电路模型,可实现磁控忆阻器的伏安特性,能够广泛代替忆阻器器件实现与忆阻器相关的电路设计、实验及应用。
技术关键词
运算放大器 乘法器 反相放大器 电阻 输入端 等效电路模型 加法器 积分器 模块 电压 忆阻器器件 输出端 信号 数学模型 电容 变量
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