一种基于氧等离子体辅助的光电突触器件及其在神经形态计算中的应用

本发明涉及半导体领域，公开了一种基于氧等离子体辅助的光电突触器件及其在神经形态计算中的应用，所述光电突触器件包括自下到上设置的衬底层、光电敏感层和电极层，且衬底层包括Si层和SiO2层，所述SiO2层位于Si层上方，且光电敏感层包括沉积在衬底层表面的二维碲烯纳米片层，所述二维碲烯纳米片层表面采用氧等离子体处理，且电极层沉积在光电敏感层表面，所述电极层包括平行设置的第一电极和第二电极，本发明突触权重变化的线性度显著优于同类器件，可以减少神经网络训练误差，提升计算精度，同时通过多通道光响应架构，实现信息并行处理与特征增强。