一种高QFN芯片爬升高度的无铅锡膏及其制备方法

本申请涉及无铅锡膏技术领域，更具体地说，涉及一种高QFN芯片爬升高度的无铅锡膏及其制备方法，由以下重量份的原料制备得到：锡100份、铜4‑8份、银4‑6份、润滑剂1‑2份，所述润滑剂是由镧、铈和钇按照重量比为1：（3‑4）：2组成；助焊剂25‑35份，所述助焊剂是由氢化松香甲基酯、表面活性剂、松香、抗氧化触变剂、有机酸和溶剂按照重量比为（1‑2）：（0.5‑1）：（15‑20）：（2‑5）：（1‑3）：50混合得到，该无铅锡膏具有良好的爬锡能力，在提高爬锡高度的同时能够形成更加均匀和致密的焊点结构，有助于减少焊接缺陷，有效解决了无铅焊锡膏在焊接QFN封装芯片时存在的润湿性差和爬锡能力不足的问题。