基于内嵌流道的GaN大功率器件异质集成T/R组件

本发明公开了基于内嵌流道的GaN大功率器件异质集成T/R组件，属于相控阵雷达T/R组件领域，包括封装壳体、LTCC基板、PCB基板、射频同轴连接器、低频连接器、电源调制电路、波束驱动控制电路以及收发通道电路；T/R组件包括4路收发通道，T/R组件的工作频段为2GHz‑6GHz；T/R组件的发射通道芯片包括射频驱动放大器芯片和末级射频功率放大器芯片；T/R组件的接收通道芯片包括射频限幅低噪多功能芯片；T/R组件的公共部分芯片包括波控驱动器芯片、射频多功能芯片、射频开关芯片以及功分器芯片。T/R组件可广泛应用于频段2GHz‑6GHz的相控阵雷达系统，在实现高性能的同时确保系统的热管理需求。