一种高导热低收缩芯片底填胶组合物及其制备方法

本发明涉及电子封装材料技术领域，具体为一种高导热低收缩芯片底填胶组合物及其制备方法，所述组合物包含双酚F型环氧树脂（20%～30%）、三峰球形氧化铝（55%～65%）、表面改性氮化硅（3%～5%）、潜伏性酸酐固化剂（5%～8%）及功能添加剂（2%～4%），该高导热低收缩芯片底填胶组合物及其制备方法，通过磁场辅助工艺实现氮化硅的垂直定向排列，使垂直方向导热系数≥3.0 W/m·K，固化收缩率≤1.0%，且组分总重量百分比严格为100%。