一种化学气相沉积后硅片连续反应冷却装置及冷却方法

本发明公开了一种化学气相沉积后硅片连续反应冷却装置及冷却方法，涉及半导体生产制造技术领域，包括：底座，底座顶面固定安装有工作台，底座侧壁固定安装有连接板和处理器，底座顶面设有两个支架，支架右侧壁固定安装有固定板，固定板顶面中心处固定安装有石墨放置座二，本发明中，通过喷气头一和喷气头二喷出的冷却气体对硅片进行非接触式夹持冷却，有效避免了传统机械手直接夹取高温硅片可能引发的硅片损坏以及污染问题，极大地提高了硅片冷却过程的安全性和清洁度，保障了硅片的品质，同时，利用激光测距仪与反射板的配合，以及处理器对数据的处理和对排气泵的精准调控，实现了根据硅片冷却状态动态调整冷却气体流量和压力。