提升红外探测器芯片稳定性的ALD复合介质膜及制备方法

本发明公开了一种提升红外探测器芯片稳定性的ALD复合介质膜及制备方法，复合介质膜包括位于第一层和最后一层的无机介质膜层及位于两层无机介质膜中间的若干层有机介质膜层，方法包括：将芯片送入ALD腔内；通入铝源前驱体以及氧源，重复该步骤从而在芯片表面通过原子层沉积得到第一层光滑均匀的无机介质膜；通入有机物源，重复该步骤从而在芯片表面得到第二层光滑均匀的有机介质膜；重复执行相应周期数的无机介质膜和有机介质膜，直至在芯片表面得到预期厚度的无机/有机复合介质膜层。通过本发明中的方法制备得到的复合介质膜层在实现钝化的同时还能提升芯片稳定性。