一种光电镊芯片及其制造方法

AITNT
正文
推荐专利
一种光电镊芯片及其制造方法
申请号:CN202510339473
申请日期:2025-03-21
公开号:CN120001439A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光电镊芯片及其制造方法,本申请的一种光电镊芯片,在基底上设置光电导单元,当光束照射在该光电导单元上时能激发产生介电泳力,并通过介电泳力实现对细胞的有效操控;在基底上设置多个光电导单元,多个光电导单元能产生更强且更均匀的电场,并激发介电泳力,以提升对细胞的操控范围和操控精度;通过将不同种光电导材料进行横向排布,能有效提高该光电镊芯片对不同的光电导材料的兼容性;此外,采用多种光电导单元的光电镊芯片激发产生的介电泳力覆盖范围广,能满足细胞操控、染色及分离等复合操作。
技术关键词
光电 芯片 基底 制作导电层 三极管结构 半导体器件 二极管结构 异质结结构 排布结构 滤光 金属电极 光刻 涂敷 电源 染色 电场 光束 腔室 波长
系统为您推荐了相关专利信息
1
基于多级缓冲区的随机写入数据包的方法、设备和介质
层级 计算机可执行指令 模式 标识 环形缓冲区
2
一种冻干自动输送系统
智能托盘 中央控制器 金属导热板 平移气密门 纳米涂层
3
一种智能电池管理装置
智能电池管理装置 识别芯片 电子产品 电池保护板 管理策略
4
一种大功率电流采样电路
运算放大器 电流采样电路 模拟开关芯片 采样电阻 大功率
5
芯片封装结构和PCB线路板布线结构
芯片封装结构 布线结构 PCB线路板 接线 引脚功能
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号