一种高效能高压大电流MOS管封装工艺

本发明属于电子封装技术领域。更具体地，涉及一种高效能高压大电流MOS管封装工艺。本发明具体封装步骤包括：划片：将晶圆上矩阵式分布的芯片，切割分离成独立的单颗芯片；涂布纳米银膏：将纳米银膏涂布在芯片与预处理DFN框架基板之间；固化：通过热处理方式使纳米银膏固化，形成电气连接；其中，所述预处理DFN框架基板的预处理步骤包括：将DFN框架基板面向纳米银膏的表面涂布1#导热环氧树脂涂料后，加热固化，以形成薄膜导热涂层；再于薄膜导热涂层表面凹版印刷2#导热环氧树脂涂料后，加热固化，以在薄膜导热涂层表面形成岛状导热涂层。