发光二极管的巨量转移方法及其转移载板

本公开提供了一种发光二极管的巨量转移方法及其转移载板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：将多个像素芯片转移至转移载板上，所述转移载板的表面设有刺激响应材料层，所述像素芯片位于所述刺激响应材料层的表面上，所述刺激响应材料层在接收刺激时，所述刺激响应材料层的粘性发生改变；刺激所述刺激响应材料层，使得所述刺激响应材料层的粘性降低；将各所述像素芯片从所述转移载板上粘附至印章转接头；采用所述印章转接头将所述像素芯片键合至电路基板上。本公开能改善像素芯片容易在临时基板上反弹和印章转接头不易粘附像素芯片的问题。