一种电子束选区熔化成形TiAl合金熔合不良缺陷抑制方法

AITNT
正文
推荐专利
一种电子束选区熔化成形TiAl合金熔合不良缺陷抑制方法
申请号:CN202510350885
申请日期:2025-03-24
公开号:CN120002006A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种电子束选区熔化成形TiAl合金熔合不良缺陷抑制方法,该方法包括:一、建模后切层得到二维切片;二、设计各二维切片的扫描路径均采用相互平行、间距相等的平行扫描线,且相邻二维切片的扫描路径的中心线错位;三、成形基板预热后铺设TiAl合金粉末;四、粉末预热;五、扫描熔化形成单层实体沉积层,成形基板下降;六、依次重复铺粉、预热、扫描及熔化、成形基板下降工艺成形得到TiAl合金。本发明通过控制相邻二维切片的扫描路径的中心线错位,使得层间平行扫描线错位堆叠填充成形间隙,从而抑制熔合不良缺陷,获得高致密度的TiAl合金,无需热等静压等工序消除缺陷,适用于TiAl合金的增材制备领域。
技术关键词
TiAl合金 缺陷抑制方法 电子束选区熔化 电子束扫描速度 成形 合金粉末 切片 基板 中心线 三维模型 错位 刮粉装置 单层 实体 间距 球形 电流
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号