一种三维公差模型确定方法、电子设备及存储介质

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一种三维公差模型确定方法、电子设备及存储介质
申请号:CN202510359711
申请日期:2025-03-25
公开号:CN120296871A
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种三维公差模型确定方法、电子设备及存储介质。涉及三维装配和偏差分析的技术领域,该方法包括:获取待建模项目对应的三维零件数据和建模基础数据;获取特征命名信息,并基于建模基础数据和特征命名信息,生成待建模项目对应的目标特征,其中,目标特征包括基准特征、装配焊接特征和测点特征;基于目标特征和三维零件数据,执行装配操作、创建测量操作和设置公差操作,得到目标三维公差模型。本发明的技术方案,可以生成规范统一的基准特征、装配焊接特征和测点特征,并基于这些特征生成目标三维公差模型,解决了传统模型可读性差,建模过程中错误概率高的问题,实现了增强了模型的可读性,降低错误概率,提升了建模准确性。
技术关键词
焊接特征 基准特征 三维零件模型 项目 字段 公差敏感度 三维模型 电子设备 基础 定位点 可读存储介质 报告 计算机 处理器通信 仿真模型 数据更新
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