量子芯片设计过程DRC检测方法、装置、设备及存储介质

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量子芯片设计过程DRC检测方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202510360493
申请日期:2025-03-25
公开号:CN120235094A
公开日期:2025-07-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了量子芯片设计过程DRC检测方法、装置、设备及存储介质,涉及量子计算技术领域,包括:搭建分布式学习框架并在分布式学习框架上对设计规则检查模型进行初始化得到待训练DRC检测模型;获取各芯片设计方提供的模型更新参数并对模型更新参数进行聚合处理以得到全局模型参数;模型更新参数为各芯片设计方利用本地芯片设计数据在本地分别对分布式学习框架上的待训练DRC检测模型进行训练得到的数据;将全局模型参数发送至各芯片设计方,以便各芯片设计方利用基于全局模型参数对本地DRC检测模型进行更新得到的目标DRC检测模型对量子芯片设计过程进行检测得到DRC检测结果。这样一来,可以提高版图进行设计规则检查的效率。
技术关键词
量子芯片 分布式学习 设计规则检查 模型更新 公钥加密技术 参数 版图 框架 数据 量子计算技术 初始化方法 解密 模型训练模块 纠错 可读存储介质 机器学习模型 存储计算机程序 算法
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