一种基于氮化镓HEMT的深孔钻削专用滑模驱动器

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正文
推荐专利
一种基于氮化镓HEMT的深孔钻削专用滑模驱动器
申请号:CN202510363951
申请日期:2025-03-26
公开号:CN120222869A
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于氮化镓HEMT的深孔钻削专用滑模驱动器,通过宽禁带半导体技术与智能控制算法的深度融合,解决深孔加工中高频振动驱动、多轴协同及电磁干扰抑制难题。主要技术方案包括:采用GaN HEMT构建全桥功率电路,基于矩阵式功率总线实现进给/平移双模式切换。设计含积分‑微分项的滑模面及动态增益趋近律,通过等效控制项与切换控制项的合成,抑制传统滑模抖振,结合高频注入项与增益自适应机制,实现±2μm振动幅值跟踪精度。采用基于GaN HEMT的LLC谐振变换器与模型预测控制结合,配合三维电磁仿真优化的PCB布局,降低EMI噪声,保障多轴协同的电磁兼容性。采用Kelvin连接与对称布局将GaN源极电感降至0.5nH以下,通过数字隔离器实现5‑10ns自适应死区调节,结合共源共栅驱动结构与液冷散热,确保高频工况下可靠运行。本发明为提升深孔加工效率提供了一种新方法。
技术关键词
氮化镓功率器件 GaN器件 宽禁带半导体技术 高频半桥 滑模 GaNHEMT器件 驱动器 LLC谐振变换器 共源共栅 电磁仿真 谐振驱动电路 RC缓冲电路 电磁干扰抑制 直流母线供电 智能控制算法 切换电路 高电子迁移率 双模式 数字信号处理器 布局
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