摘要
本发明公开了一种基于多目标加权的变换器PCB寄生电感参数优化方法,该方法考虑了栅极、漏极和源极寄生电感参数对开关特性的影响,综合考虑栅源电压尖峰、关断电压尖峰和开通电流尖峰性能指标,通过对不同指标进行加权计算和标准化处理,建立能够反映SiC MOSFET器件整体开关性能的目标函数。仿真求解得到目标函数与寄生电感参数之间的关系图谱,最终结合仿真数据和3D图谱,得到使得器件整体性能和损耗最优的寄生电感优化区间。本发明综合考虑SiC MOSFET驱动回路和功率回路的寄生电感参数,以器件的多项性能指标为优化目标,统筹考虑多项性能指标以有效抑制器件的开关振荡和过冲,最大化器件的高速开关和低损耗优势,以指导变换器的PCB布局优化设计。
技术关键词
参数优化方法
电感
SiCMOSFET器件
变换器
布局优化设计
模态分析
仿真数据
电压
图谱
关断
等效电路模型
指标
高速开关
损耗
电流
仿真分析
栅极
仿真模型