芯片的封装结构和半导体器件

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推荐专利
芯片的封装结构和半导体器件
申请号:CN202510372581
申请日期:2025-03-27
公开号:CN119920771B
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体技术领域,公开了一种芯片的封装结构和半导体器件;该芯片的封装结构包括阴极电极和动态均压模块;阴极电极叠放于芯片上,阴极电极分割成多个压力补偿区域;动态均压模块设于阴极电极背离芯片的一侧并具有封闭空腔,封闭空腔内填充有弹性缓冲物质,封闭空腔内设有与多个压力补偿区域均电连接的多个动态插入电极,动态均压模块的外端部与外部管壳阴极密封电连接。当采用本申请的技术方案在对芯片与管壳进行封装时,通过在阴极电极上设置具有封闭空腔的动态均压模块,能够利用封闭空腔内部的缓冲物质来实现对于芯片封装过程中的压力补偿,进行动态的压力调节,均匀了金属电极之间的压力。
技术关键词
封装结构 阴极电极 导电垫片 管壳 半导体器件 芯片 动态 阶梯结构 压力 空腔 金属板 扇形结构 耐高温耐磨 模块 圆盘形结构 钎焊工艺 限位块
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