一种忆阻器阵列光刻误差校正方法

本发明公开了一种忆阻器阵列光刻误差校正方法，该方法包括：步骤S1，输入忆阻器阵列行列数、单个忆阻器单元的目标横截面积以及忆阻器阵列版图的横纵两个方向最大尺寸约束；步骤S2，生成初始基准版图；步骤S3，调整辅助单元数量以优化光刻一致性；步骤S4，调整忆阻器单元尺寸和间距以进一步减小光刻误差；步骤S5，输出优化后的忆阻器阵列版图。本发明可以降低忆阻器阵列在光刻工艺中的误差，提高光刻曝光的准确性，从而确保忆阻器阵列的性能和稳定性。