一种芯片用抛光液及其制备方法

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一种芯片用抛光液及其制备方法
申请号:CN202510373954
申请日期:2025-03-27
公开号:CN120209714A
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种芯片用抛光液及其制备方法,该抛光液包括如下百分比原料:改性磨料0.5‑0.8%、双氧水1‑1.2%、甘氨酸2‑2.5%、改性抑制剂0.1‑0.5%和聚乙二醇0.5‑1%,余量为水,将原料混合均匀,加入氢氧化钾调节pH值为8.5,制得芯片用抛光液,改性抑制剂的加入能够在铜表面形成一层致密的钝化膜,有效阻止抛光液对铜表面的腐蚀,改性填料以二氧化硅为主体材料表面和内部嵌有氧化铝,使得改性填料在具有高硬度的同时不容易团聚,降低了抛光液的粘度,进而使得抛光液更容易清洗,减少的工序,提升抛光效率。
技术关键词
异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷 二甲基二乙氧基硅烷 甲基三乙氧基硅烷 四甲基二硅氧烷 二甲基甲酰胺 芯片 聚硅氧烷 正硅酸乙酯 阻止抛光液 改性填料 丙烯酰氯 四甲基氢氧化铵 改性剂 氢氧化钾 氨基 框架 聚乙二醇 氯化铝
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