半导体器件及其制备方法

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，其中在制备方法中，在刻蚀阻挡层表面形成第一层间介质层、第二层间介质层和抗反射层作为新的钝化层，本申请以抗反射层作为顶层阻挡层进行接触孔的刻蚀，这样可以保证等离子体不会同时轰击顶层金属层和第二层间介质层，避免刻蚀接触孔的过程中形成干法刻蚀和湿法刻蚀/清洗都难以清除的螯合物的情况，也不会额外增加光罩，实现了客户省版的需求，同时也满足量产要求，提高了芯片封装可靠性。