一种超薄石英晶片结构、制备方法及石英谐振器

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超薄石英晶片结构、制备方法及石英谐振器，通过在石英晶片主体上设置至少一个晶片增强凹槽，在每个晶片增强凹槽内设置晶片功能凹槽，以晶片增强凹槽的至少一个侧壁与石英晶片主体构成晶片增强结构，能够为石英晶片结构的整体强度提供不同程度的强度增幅，以每个晶片功能凹槽的至少一个侧壁与该侧壁方向上的晶片增强凹槽的侧壁共同形成两级台阶状强度结构，能够为每个晶片功能凹槽的底面平台构成的功能晶片提供保护与支撑。同时，通过部署每种石英晶片所分配到的晶圆和每个晶圆所采用的晶片增强结构，在保证石英晶片制备需求的同时，尽可能提升所制备石英晶片的整体强度结构，提升产品生产合格率。