芯片及其制备方法和红外光场生成器件

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芯片及其制备方法和红外光场生成器件
申请号:CN202510387334
申请日期:2025-03-28
公开号:CN120593413A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种芯片及其制备方法和红外光场生成器件,芯片包括:至少一个像元,像元包括隔热层和纳米森林吸收结构,纳米森林吸收结构设置于隔热层的沿第一方向的一侧,纳米森林吸收结构包括纳米森林结构和吸光层,纳米森林结构与隔热层相连,纳米森林结构与隔热层的材料相同,吸光层覆盖于纳米森林结构的外表面,纳米森林吸收结构被构造为吸收入射光的光能并生成红外光。本申请的芯片吸光性能较好,且不容易出现热应力失配问题。
技术关键词
纳米森林结构 吸收结构 隔热层 衬底 芯片 红外光 涂布光刻胶 光刻胶层 圆锥状 上沉积 圆柱状 线状 层叠 间距
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