一种基于稀疏任意阵列与连续逼近技术的RIS剖面设计方法

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一种基于稀疏任意阵列与连续逼近技术的RIS剖面设计方法
申请号:CN202510387549
申请日期:2025-03-28
公开号:CN120475404A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于稀疏任意阵列与连续逼近技术的RIS剖面设计方法,该方法包括:在RIS传感模块部署稀疏任意阵列,减少射频链路数量;利用连续逼近技术解耦方位角与俯仰角参数,设计低复杂度二维估计算法;基于传感结果动态优化RIS相位矩阵,提升通信与传感性能。仿真表明,所提方案在角度估计误差(RMSE)和频谱效率上较传统2D‑MUSIC方法提升显著,且计算耗时降低60%以上。结合稀疏任意阵列架构与连续逼近技术,解决半无源RIS辅助ISAC系统中硬件成本高、计算复杂度大的问题。
技术关键词
传感模块 噪声子空间 主特征向量 无源元件 阵列 优化通信链路 雷达散射截面积 MUSIC算法 协方差矩阵 最小化噪声 方位角 传感器 复杂度 反射模块 反射单元 特征值 估计算法 信号 估计误差
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