一种深紫外LED芯片及其制备方法

本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED芯片及其制备方法，包括蓝宝石衬底、外延层、深刻蚀区域、n刻蚀区域、n第一电极、p第一电极、n第二电极、p第二电极、第一钝化层、连接/反射层、第二钝化层、p厚金层、n厚金层、导热厚金层，蓝宝石衬底表面生长有外延层，外延层的中心和两端刻蚀有深刻蚀区域，外延层上刻蚀有两个n刻蚀区域，两个n刻蚀区域表面分别生长有n第一电极和n第二电极，外延层表面分别生长有p第一电极和p第二电极。本发明连接/反射层结构的设置，同时实现大面积光束反射、p电极与n电极电流扩展以及相邻单元p电极与n电极的串联作用，提升了光提取效率及器件可靠性。