晶圆级双色红外焦平面芯片及其制备方法

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晶圆级双色红外焦平面芯片及其制备方法
申请号:CN202510389280
申请日期:2025-03-31
公开号:CN120187132A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种晶圆级双色红外焦平面芯片,可应用于半导体技术领域,包括:键合层;第一探测器外延层,设置有第一公共电极台面和第一像元台面;第二探测器外延层,设置有第二公共电极区和第二像元台面;双色读出电路晶圆,包括第一顶电极触点,第二顶电极触点,第一公共电极触点和第二公共电极触点;第一顶电极,与第一像元台面的顶部表面以及第一顶电极触点电学连接;第二顶电极,与第二像元台面的顶部表面以及第二顶电极触点电学连接;第一公共电极,与第一公共电极台面的顶部表面以及第一公共电极触点电学连接;第二公共电极,与第二公共电极区的顶部表面以及第二公共电极触点电学连接。通过三维堆叠和晶圆键合,降低生成成本和工艺难度。
技术关键词
红外焦平面芯片 电极触点 探测器 台面 接触层 读出电路 外延 晶圆 势垒层 掩膜 沟槽 通孔图案 键合设备 阵列 半导体材料 介质 轮廓 衬底
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