一种低翘曲度硅桥嵌入式结构的制备方法

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一种低翘曲度硅桥嵌入式结构的制备方法
申请号:CN202510393053
申请日期:2025-03-31
公开号:CN120221465A
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种低翘曲度硅桥嵌入式结构的制备方法,属于集成电路领域。本发明提供一个具有内部布线层和顶层超高铜柱的晶圆载板;通过高精度装片技术将硅桥芯片贴装在所述晶圆载板顶层布线层的指定区域;依靠定制化的退火整平治具将完成硅桥芯片贴装的晶圆载板进行限制定位,并在硅桥芯片受到整平治具施压的情况下进行DAF膜烘烤固化;利用液态塑封料填充到硅桥芯片和超高铜柱之间的间隙中,然后通过高精度研磨工艺实现表面平整化。该方法可以使芯片翘曲过大的区域在DAF膜烘烤固化时因受到施加的压力而被压平,成功实现硅桥芯片的低翘曲内嵌。
技术关键词
嵌入式结构 高精度装片 芯片 铜柱凸点 低翘曲 布线 晶圆 承载盘 绝缘薄膜 压膜 平板 正面 玻璃 电镀工艺 基板 光刻 集成电路 尺寸
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